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元件参数资料
>
参数目录50149
> FDC604P MOSFET P-CH 20V 5.5A SSOT-6
型号:
FDC604P
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
MOSFET P-CH 20V 5.5A SSOT-6
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
FDC604P PDF
产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
产品变化通告
Mold Compound Change 08/April/2008
产品目录绘图
MOSFET SuperSOT-6
标准包装
1
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
5.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
33 毫欧 @ 5.5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
30nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1926pF @ 10V
功率 - 最大
800mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商设备封装
6-SSOT
包装
剪切带 (CT)
产品目录页面
1602 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
FDC604PCT
查看FDC604P代理商
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